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新闻动态
N沟道MOS管100V MOS管35A100V TO-252

产品型号:HC021N10L参数:100V35A ,类型:N沟道场效应管,内阻22mR,超低结电容1880pF  封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,结电容小,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

 

HC012N10L优势替代HY1310D,替代HY1210D,替代CJU30N10


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深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 厂家直销,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,超低内阻,结电容超小,采用沟槽工艺,性能优越,

惠新晨电子专业中低压MOS管行业10年,经验丰富,实力雄厚,可以做月结30天,惠新晨电子是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商

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